腔面非注入区技术在808 nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵中的应用

在808 nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵的前后腔面两端约25 μm长的区域进行氦离子注入,使p型GaAs获得高的电阻率,形成腔面电流非注入区,以此来提高腔面灾变性损伤(COD)阈值。常规条宽100 μm,含有19个发光单元的1 cm列阵激光器的COD阈值功率为30 W,而带有腔面非注入区的器件的最大输出功率达到了42.7 W,没有发生失效。