重离子辐射对Pt / HfO2 / Ti电阻开关记忆的影响 上传者:mikidun 2021-03-14 04:32:20上传 PDF文件 341.58KB 热度 15次 在此概述中,研究了具有Pt / HfO2 / Ti结构的电阻式随机存取存储器(RRAM)在辐射环境中的应用。 使用HIRFL(兰州的重离子研究设施)的重离子86Kr26 +作为辐射源。 86Kr26 +的能量为25 MeV / u,LET的能量为37.6 MeV /(cm2 / mg),辐射后获得5e11的能量密度。 在辐射之前和之后比较Pt / HfO2 / Ti的基本电性能。 辐射后的原始电阻值显示出明显的降低,并且不再需要形成过程。 辐射后,HRS,LRS,过渡电压和耐力仍然稳定。 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 收藏 腾讯 微博 用户评论 发表评论 mikidun 资源:463 粉丝:0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台,下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容!联系邮箱:server@dude6.com