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重离子辐射对Pt / HfO2 / Ti电阻开关记忆的影响

上传者: 2021-03-14 04:32:20上传 PDF文件 341.58KB 热度 15次
在此概述中,研究了具有Pt / HfO2 / Ti结构的电阻式随机存取存储器(RRAM)在辐射环境中的应用。 使用HIRFL(兰州的重离子研究设施)的重离子86Kr26 +作为辐射源。 86Kr26 +的能量为25 MeV / u,LET的能量为37.6 MeV /(cm2 / mg),辐射后获得5e11的能量密度。 在辐射之前和之后比较Pt / HfO2 / Ti的基本电性能。 辐射后的原始电阻值显示出明显的降低,并且不再需要形成过程。 辐射后,HRS,LRS,过渡电压和耐力仍然稳定。
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