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如何测量LDO标准压降和极低压降之间的差异

上传者: 2021-03-01 14:07:14上传 PDF文件 67.43KB 热度 8次
本文将聚焦“低压降”的含义,并介绍安森美半导体低压降和极低压降值的LDO产品和方案。您的应用需要低压降的LDO吗?我们将讲解压降的含义,如何测量以及具有标准压降和极低压降的LDO之间的差异。 LDO必须具有比压降参数更高的裕量VIN–VOUT。压降是LDO正常运行的 关键参数之一。压降是LDO需要适当调节的VDO=VIN–VOUT,NOM的差。VOUT,NOM是LDO处于稳压状态时在输出端的输出电压标称值。 压降值通常在VOUT低于标称值(约3%)或100mV时测量。当VOUT下降时,如约100mV,很容易测量该值。通常针对标称输出电流测量压降参数,因为压降是在VOUT下降(比VOUT,
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