氟化汞分子基态的超精细结构和g 因子的理论计算

构建了氟化汞(202Hg19F)分子2Σ1/2和2 Π1/2态的有效自旋转动哈密顿量, 并计算了该分子基态的超精细结构及其在外电场中的斯塔克分裂和外磁场中的塞曼分裂。运用一阶微扰理论, 计算模拟了g-因子在外电场中的变化。探讨了利用202Hg19F分子N=1, J=1/2, F=1, MF=±1 态测量电子电偶极矩的可能性(N、J、F为角动量量子数)。