光反射谱测量

我们采用了MBE技术生长多量子阱结构,衬底材料为半绝缘GaAs。在生长时先在半绝缘衬底上生长一层N+GaAs作为N型电极,紧接着在其上生长20.5个周期的AlAs/AlGaAsDBR,在DBR和多量子阱区之间生长N型和i型AlGaAs缓冲层,缓冲层的作用一方面是防止n区杂质渗入多量子阱吸收区,另一方面是由于在生长了DBR后,材料表面平整度较差,若在其上直接生长量子阱不易形成良好的界面,因此通过生长缓冲层作为过渡来调整界面。另外,改变缓冲层厚度也可调整ASFP腔的模式波长,缓冲层还可作为腐蚀阻挡型。在生长了50个周期的GaAsAlGaAs多量子阱后,是i型和P型AlGaAs缓冲层,是P+ GaA