GaN/Al

在Al2O3(0001)衬底上用MOCVD(金属有机物气相沉积)方法进行了GaN的外延生长,通过X射线衍射(同步辐射源)研究了GaN和Al2O3(0001)的匹配关系。结果表明,经充分氮化的衬底上,GaN以单一的匹配方式沿[0001]方向生长;在Al2O3(0001)衬底未经氮化或氮化不充分时,不同程度地出现了其它三种绕〈1120〉晶带轴倾斜一定角度的匹配位向。指出了GaN/Al2O3(0001)的几种匹配方式的晶体学规律。GaN绕〈1120〉晶带轴倾斜的匹配方式是其外延生长过程中降低和Al2O3(0001)的晶格失配、释放界面应变的重要机制之一。