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用激光合金化在n型GaAs上制作欧姆接触

上传者: 2021-02-24 01:20:56上传 PDF文件 2.04MB 热度 11次
我们采用了脉冲Q开关红宝石激光以(λ=0.6943微米)、脉冲Q开关石榴石激光(λ=1.06微米)和倍频的脉冲石榴石激光(λ=0.53微米)产生n型GaAs表面的欧姆接触;测量了n型GaAs上AuGaNi合金的比接触电阻.实验表明用激光合金化形成了均匀的欧姆接触,这种接触具有比通常的体加热合金化更优越的电学性质和表面状况.
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