用激光合金Ge薄膜在n GaAs上制作欧姆接触

Name: 用激光合金Ge薄膜在n GaAs上制作欧姆接触
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Author: lqt67217

上传者：lqt67217 2021-02-23 01:03:47上传 PDF文件 1.37MB 热度 29次

Q开关Nd:YAG激光器已被用以使复盖蒸发Ge薄膜的n-GaAs上形成欧姆接触。这种接触显示了良好的表面形态,其接触电阻率低到10-6欧姆·厘米。

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