非晶态As

采用真空镀膜技术在石英基板上制备了纯As2S8 以及掺杂As2S8平面波导,通过棱镜耦合技术观察了光阻断效应。结合S和As的外层电子构型,分析了样品内部的化学键结构,利用电子能带结构理论和杂化轨道理论,建立了光阻断效应的动力学方程,并对切断过程进行了数值分析,分析结果与实验数据十分符合,得出该模型能很好地解释光阻断效应的实验现象,并揭示了光阻断效应切断过程的内在机理。