准二维强耦合激子有效质量的温度依赖性

采用Tokuda改变的线性组合算符法和改进的Lee-Low-Pines变换法, 研究了温度对量子阱中电子(空穴)与界面光学(IO)声子强耦合又与体纵光学(LO)声子弱耦合激子的有效质量的影响。结果表明, 由电子(空穴)-体纵光学声子弱耦合所产生的激子有效质量(M*ex-LO)随量子阱宽N的增加而增大、随电子与空穴间相对距离ρ的增加而先增大后缓慢减小再趋于稳定, 温度T对M*ex-LO及其随N和ρ变化的规律产生显著影响, 同时, M*ex-LO随T的变化也强烈的受到量子尺寸效应的影响; 由电子(空穴)-界面光学声子强耦合所产生的激子有效质量M*ex-IO随N的增加而减小、随T的升高而增大、随ρ的