KDP晶体飞切加工表面缺陷的抑制方法

研究了磷酸二氢钾(KDP)晶体表面典型缺陷的形成原因及抑制方法。通过飞切加工及表面染色切削实验证明了成因分析结果的正确性, 进一步明确了KDP晶体表面缺陷的形成过程。建立了适用于描述KDP晶体表面缺陷形成过程的理论模型, 提出了获得无缺陷晶体表面的工艺条件。对飞切加工参数及刀具结构进行了优化, 实验验证了缺陷抑制措施的有效性。研究结果表明, 在飞切条件下, KDP晶体(001)晶面的脆塑转变(BDT)深度变化范围为125~268 nm, 当沿45°方向切削时BDT深度最大, 此时只要保证进给速率小于36.6 μm/r即可避免在晶体表面形成凹坑。通过优化刀具结构, 可消除晶体表面的凸起缺陷, 有