基于GaN 器件的平衡式逆F 类功率放大器的研究与设计

针对功率放大器效率低和输入输出端反射损耗较大的缺陷,采用平衡式结构研究了工作于2.6GHz 的逆F 类功率放大器,并基于GaN 器件CGH40010F 设计该放大器验证电路。根据功放管输出寄生参数的等效网络,将负载阻抗转换到封装参考面上,并且考虑了栅源寄生电容对输入信号的影响,在输入拓扑结构中加入二次谐波抑制电路,提高了放大器的效率。同时,在栅漏极偏置电路中,采用扇形微带线代替短路电容,使电路结构更为紧凑。经仿真优化和实测表明,饱和输出功率为42.32dBm,最大漏极效率为77.91%,最大功率附加效率(PAE)达到72.16%,输入输出驻波系数均小于2。实测结果与仿真数据基本吻合,验证了设计