基于GaN HEMT的S波段的功率放大器设计

采用内匹配技术,使用单胞的电路结构,设计并实现了一款3.8~4.2 GHz的功率放大器。该放大器基于南京电子器件研究所自主研制的GaN HEMT管芯芯片。通过优化设计该放大器在10%的相对带宽、漏源电压28 V、连续波的工作条件下,实现了输出峰值功率Pout大于30 W,功率附加效率PAE大于48%,充分显示了GaN功率器件宽带、高效和高功率的工作性能,具有广阔的工程应用前景。