HfO

薄膜应力的存在是薄膜材料的本征特性, 对过程中薄膜应力的测量与精确控制具有重要意义。搭建了基于双光束偏转基底曲率测量装置, 再结合薄膜厚度的实时监控, 实现了对薄膜应力演化过程的观测。对HfO2薄膜的生长过程做了实时研究。结果显示, 在所研究条件下, HfO2薄膜的生长应力随厚度的增加, 在360~660 MPa范围内变化; 沉积温度越高, 沉积真空度越高, 张应力越大; 在真空度较高的沉积条件下, 薄膜应力强烈地受到基底表面的影响, 随着薄膜厚度的增加, 应力也趋于稳定。