低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究

1 引言 1988年,Fe/Cr超晶格中的巨磁电阻(GMR)效应被发现,为磁传感器领域带来了一场深远的革命。不久,一种具有低饱和场巨磁电阻效应的自旋阀结构被提出,基于这种自旋阀结构的磁传感器具有灵敏度高、功耗小、体积小、可靠性高、耐恶劣环境等优点,能够广泛地被应用于工业自动化和汽车工业中。 在基于自旋阀结构的传感器中,MR和矫顽力是两个非常重要的性能指标。在自旋阀薄膜的制备过程中,通常选取软磁和硬磁材料的组合作为自旋阀的自由层,从而增加自由层的自旋散射几率,提高MR。但是硬磁材料的引入将导致自由层矫顽力的增加,从而将影响传感器的测量精度。本文从理论和实验两方面研究了自旋阀自由层的矫顽