高功率半导体激光试验

东京冲电气公司已研制出一种以各类砷化镓为激活晶体的高功率半导体激光器。掺有硅杂质的砷化镓在900 °C高温下以液相外延法生长,掺硅杂质将其发射波长移到砷化镓的吸收带外。此种原型半导体二极管在1平方毫米的输出小晶面上产生2.1瓦功率。砑究者相信可提高到20瓦。该公司将在OTD12中运用这项新技术。