PZT薄膜制备及激光感生热电电压研究

采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在SrTiO3(STO)单晶衬底上成功地制备了不同组分x(x=0.03,0.30,0.53,0.80,0.97)和掺杂M(原子数分数为3%,M=Na,Sr,Bi,Ce)的锆钛酸铅PbZrxTi1-x,PZT铁电薄膜。检测结果表明,所有薄膜都是单一取向生长的,且没有杂相存在,但组分的改变和掺杂元素的引入会对薄膜的结晶质量产生不同程度的影响。另外,在10°倾斜的SrTiO3单晶衬底上生长的PZT铁电薄膜中还清楚地观察到了激光感生热电电压(LITV)信号,且在能量密度为0.16 J/cm2的紫外脉冲激光辐照下,x=0.03组分的PZT铁电薄膜中的LITV信号最大,峰值