基于干涉的同轴检焦新方法

针对现有离轴检焦技术在浸没式光刻方法中的局限性,提出了一种新的基于干涉的同轴检焦方法。测量光通过光刻物镜入射到硅片表面,在硅片表面反射后再次经过光刻物镜后,测量光和参考光产生干涉条纹,并被CCD接收,从而将硅片的离焦量信息调制在干涉条纹的相位信息中。通过对干涉条纹的相位提取,即可获得硅片的离焦量。仿真结果表明,该方法可以达到λ/25(λ=632.8 nm)的检焦精度,并具有良好的抗噪性,满足浸没式光刻高精度、实时、非接触焦面测量的要求。