基于液相外延的InAs基红外探测器InAsSbP阻挡层的仿真

在传统pn结红外探测器中, 宽带隙阻挡层的引入可以有效降低器件暗电流。采用COMSOL软件对探测器的能带图进行仿真, 结果表明, InAsSbP四元合金通过n型或p型掺杂, 其能带结构能够实现价带能级的下凹或导带能级的上凸, 起到阻挡空穴或电子的作用。通过理论分析和仿真计算, 确定了满足阻挡层要求的InAsSbP组分。对于nBip型和pBin型红外探测器, 仿真得到了阻挡层的最优厚度和最优掺杂浓度(粒子数浓度), 并分析了其偏离最优值时对器件暗电流的影响。对于nBip型探测器, 当阻挡层厚度为40 nm、掺杂浓度为2×1018 cm-3时, 器件开关比最大; 对于pBin型探测器, 当阻挡层厚