基于Nand Flash的高速存储器结构设计

Nand Flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用。为了设计大容量、高存储速度、易扩展的存储系统,本文通过分析理论存储速度,结合直接存储器访问(DMA)技术、交替双平面编程和流水线技术,设计了一种高效的高速存储体系结构。本文同时利用并行存储技术来提高存储速度。通过对此存储系统的存储速度进行分析,结果表明理论最高存储速度可以达到319.2 MB/s,在某弹载存储器中能实现200 MB/s的实际数据存储速度。