实验:PN结电容与电压的关系

PN结电容 增加PN结上的反向偏置电压VJ会导致连接处电荷的重新分配,形成耗尽区或耗尽层(图1中的W)。这个耗尽层充当电容的两个导电板之间的绝缘体。这个W层的厚度与施加的电场和掺杂浓度呈函数关系。PN结电容分为势垒电容和扩散电容两部分。在反向偏置条件下,不会发生自由载流子注入;因此,扩散电容等于零。对于反向和小于二极管开启电压(硅芯片为0.6 V)的正偏置电压,势垒电容是主要的电容。在实际应用中,根据结面积和掺杂浓度的不同,势垒电容可以小至零点几pF,也可以达到几百pF。结电容与施加的偏置电压之间的依赖关系被称为结的电容-电压(CV)特性。在本次实验中,您将测量各个PN结(二极管)此特性