基于半导体光放大器的光电振荡器相位噪声抑制的研究

提出一种利用饱和增益半导体光放大器(SOA)自增益调制效应抑制光电振荡器(OEO)相位噪声的方案。此方案将SOA置于光电振荡环路中,通过调节光衰减器及SOA的驱动电流使SOA工作在饱和增益状态,利用自增益调制效应抑制调制光信号的部分幅度噪声,提高环路的噪信比,从而降低产生微波信号的相位噪声。对OEO相位噪声的组成及SOA抑制幅度噪声的原理进行理论分析和实验验证,实验结果表明:在腔长为5 km的单环结构OEO中加入饱和工作状态的SOA,在0.1 kHz下产生的10 GHz微波信号近端相位噪声为-84.5 dBc/Hz,在1 kHz 下产生的相位噪声为-113.9 dBc/Hz,与未加入SOA的结