1. 首页
  2. 数据库
  3. 其它
  4. 直接耦合半导体光放大器的噪声特性

直接耦合半导体光放大器的噪声特性

上传者: 2021-02-19 14:02:07上传 PDF文件 678.52KB 热度 16次
研究了直接耦合混合应变量子阱半导体光放大器(SOA)的噪声特性。实验中测定SOA在130 mA偏置电流下的噪声指数为7.7 dB,表明应变量子阱结构改善了SOA的噪声性能。理论分析指出,通过消除SOA的剩余反射,其噪声性能可以得到进一步改善。
用户评论