IGBT的基础与运用

IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内。 理想等效电路与实际等效电路如图所示: IGBT 的静态特性一般用不到,暂时不用考虑,重点考虑动态特性(开关特性)。 动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取: IGBT的开通过程