IGBT浅析IGBT的结构与工作原理
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 在绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipol
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用户评论
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这篇文章对IGBT的介绍具有一定的实用性，不仅可以帮助读者了解其基本原理，还能应用到实际工程中。
作者在文中运用了恰当的例子来解释IGBT的概念，使得读者更容易理解。