MOS管 G:gate栅极 S:source源极 D:drain漏极 P沟道 G栅极阈值为-0.4V,当栅源电压差为-0.4V,DS导通,S接入,D输出, S为2.8V,G为2.8V,MOS管不导通 S为2.8V,G为1.8V,GS=-1V<-0.4V导通 N沟道相反 N沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。 N沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。 随笔用,侵权可删。 作者:老板,来个老婆
