MOS管发热分析

上图有两个问题：1、浮地电容太大，影响快速开关；2、高端驱动利用的是浮地电容中的电荷，选取电容时要使用漏电流小的瓷片电容，尽量保证高端驱动时有足够的驱动电压。上图在每个高端MOSFET 的栅极和源极之间10K的电阻将迅速将电容中的电荷放光，使得栅极驱动电压下降。在栅极驱动电压下降的过程中，MOSFET进入放大区，管压降迅速增加