如何利用SiC器件在开关电源转换器中的性能优势?

半导体行业在过去的几十年里,已经采取了许多措施来改善基于硅MOSFET (parasitic parameters),以满足开关转换器(开关电源)设计人员的需求。行业效率标准以及市场对效率技术需求的双重作用,导致了对于可用于构建更高效和更紧凑电源解决方案的半导体产品拥有巨大的需求。 这个需求宽带隙(WBG)技术器件应运而生, 如碳化硅场效应管(SiC MOSFET) 。它们能够提供设计人员要求的更低的寄生参数满足开关电源(SMPS)的设计要求。 650V 碳化硅场效应管器件在推出之后,可以补充之前只有1200V碳化硅场效应器件设计需求,碳化硅场效应管(SiC MOSFET)由于能够实现硅场