10 Gbps VCSEL激光器驱动CMOS集成电路

本设计采用国内GSMC 130 nm SOI CMOS工艺设计了一款10 Gbps的激光器驱动芯片。电路核心部分由限幅放大级、输出驱动电路、8 bit DAC电路、偏置基准电路等组成。其中,为了在130 nm工艺下实现10 Gbps速率,限幅放大级采用共享电感并联峰化技术实现带宽拓展,同时兼顾了面积与功耗的考量。该芯片整体面积为2.16 mm×1.24 mm,采用1.2 V电源供电,后仿真结果表明,在典型输入差分200 mV、10 Gbps的激励信号下,可提供2~8.6 mA范围可调调制电流和1~3 mA范围可调偏置电流。在典型配置下,输出5 mA调制电流和2 mA偏置电流,总功耗为5