电介质刻蚀面临材料和工艺的选择

半导体加工中,在晶片表面形成光刻胶图形,然后通过刻蚀在衬底或者衬底上面的薄膜层中选择性地除去相关材料就可以将电路图形转移到光刻胶下面的材料层上。这一工艺过程要求非常精确。但是,各种因素例如不断缩小的线宽、材料毒性以及不断变大的晶片尺寸等都会使实际过程困难得多(图1)。 Applied Materials公司电介质刻蚀部总经理Brian Shieh说:“前段(FEOL)和后段(BEOL)电介质刻蚀的要求各不相同,因此要求反应器基本功能具有很大的弹性,对于不同的要求都能够表现出很好的性能。” Dow Chemical公司新技术部总监Michael Mills说:“从目前和近期的发展来看,电