TPS1100DR的技术参数 上传者：sdl55474 2020-12-13 11:30:49上传 PDF文件 26.49KB 热度 27次 产品型号:TPS1100DRFET数:1漏源电压(V):-15持续漏极电流(VGS=-10V)最大值(A):-1.600静态漏源直流电阻 (VGS=-10V)典型值(mΩ):180通道极性:P沟道封装/温度(°C):8SOIC/-40~85描述:单路P沟道增强方式MOSFET价格/1片(套):¥6.80 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
