TPS1120DR的技术参数 上传者：gqw98975 2020-12-13 06:16:33上传 PDF文件 26.87KB 热度 9次 产品型号:TPS1120DRFET数:2漏源电压(V):-15持续漏极电流(VGS=-10V)最大值(A):-1.700静态漏源直流电阻 (VGS=-10V)典型值(mΩ):180通道极性:P沟道封装/温度(°C):8SOIC/-40~85描述:双路P沟道增强方式MOSFET价格/1片(套):¥13.40 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 gqw98975 资源：438 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
