NTMFS4709NT1G的技术参数

产品型号:NTMFS4709NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.600最大漏极电流Id(on)(A):94通道极性:N沟道封装/温度(°C):DFN6/-55 ~150描述:30 V, 94 A,功率MOSFET价格/1片(套):¥8.40