元器件应用中的集成NPN的结构与寄生效应

为了在一个基片上制造出多个器件,必须采用隔离措施,pn结隔离是一种常用的工艺。在pn结隔离工艺中,典型NPN集成晶体管的结构是四层三结构,即NPN管的高浓度n型扩散发射区-NPN管的p型扩散基区-n型外延层(NPN管的集电区)-p型衬底四层,以及四层之间的三个pn结这样的工艺结构。 pn结隔离 pn结隔离是利用反向pn结的大电阻特性实现集成电路中各元器件间电性隔离方法。常规pn结隔离在工艺上是通过隔离扩散扩穿外延层而与p衬底连通上实现的,(或称各隔离墙均有效);应该强调的是,采用常规pn结隔离工艺制造的集成电路在使用时必须在电性能给予保证,即p衬底连接电