元器件应用中的一种减少VDMOS寄生电容的新结构

0 引 言 VDMOS与双极晶体管相比,它的开关速度快,开关损耗小,输入电阻高,驱动电流小,频率特性好,跨导高度线性等优点。特别值得指出的是,它具有负温度系数,没有双极功率管的二次击穿问题,安全工作区大。因此,不论是开关应用还是线性应用,VDMOS都是理想的功率器件。VDMOS的开关速度是在高频应用时的一个重要的参数,因此提出一种减小寄生电容的新型VDMOS结构。 1 基本原理 功率VDMOS的开关特性是由其本征电容和寄生电容来决定的。VDMOS的电容主要由三个部分栅源电容Cgs栅漏电容Cgd以及源漏电容Cds组成,如图1所示。电容的充放电是限制其开关速度的主要因素。栅源之间