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电源技术中的端接DDR DRAM的电源电路

上传者: 2020-12-13 10:06:15上传 PDF文件 37.46KB 热度 16次
DDR(双数据速率)DRAM应用于工作站和服务器的高速存储系统中。存储器IC采用1.8V或2.5V电源电压,并需要等于电源电压一半的基准电压(VREF=VDD/2)。此外,各逻辑输出端都接一只电阻器,等于并跟踪VREF的终端电压VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同时,必须提供源流或吸收电流。图1所示电路可为1.8V和2.5V两种存储器系统提供终端电压,并可输出高达6A的电流。IC1有一个降压控制器和2个线性稳压控制器。IC1在输入电压为4.5~28V下工作。 IC1的200kHz固定频率PWM控制器通过提供源流和吸收电流来保持输出电压。最大源电流等于最大吸收电流,但吸收电流没有限流
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