管式电炉合成氮化镓晶粒的研究

黄萍,薛成山,李秀琴,魏琴琴(山东师范大学物理系,半导体所,山东 济南 250014)摘要:以Ga2O3为Ga源,氨气(NH3)为N源,通过氮化反应合成了高质量的GaN晶粒。XRD,FTIR和TEM对生成产物的组分、结构进行了研究。结果表明,用管式电炉合成的GaN为多晶体,属六方晶系。 关键词:氮化镓;Ga2O3;氨气中图分类号:TN304.23 文献标识码:A 文章编号:1671-4776(2003)10-0027-031引言氮化镓是一种优秀的宽带隙化合物半导体材料,室温下禁带宽度为3.4eV。作为良好的光电半导体材料,GaN在短波长光电器件领域(如蓝绿光发光管LED、激光器ID)及紫外波段