发展氮化镓集成电路的考虑

袁明文(中电科集团第十三研究所,河北 石家庄050051)1引言GaN是一种热学和化学性能都很稳定的化合物半导体材料,特别适于制造高温器件。其代表性器件AlGaN/GaN HEMT具有优良的特性,包括宽禁带(34 eV)、高击穿(>50 V)、高饱和速度(>1×107 cm/s)和高表面浓度(ns>1×1013 cm-2)等,使其成为新一代优良的微波功率器件。由于成功地实现了传统的低压、原子层的CVD淀积和AlGaN/InGaN的掺杂等工艺技术,从而获得了高质量GaNAlGaN异质结和AlGaN二维电子气,为制造更加独特的微电子器件提供了保障。据报道[1],创造CW功率记录的RF器件水平在