下一代光刻技术突破传统的光刻技术障碍

EUV蚀刻技术使最小线宽达30nm 全球第一款利用远紫外线(extreme ultra vio-let EUV)蚀刻技术制造计算机芯片的完整设备原型机近日在美国问世。这个命名为:“工程试验支架”(ETS)的原型机是由美国能源部下属的3个实验室和EUV LLC的半导体企业联盟共同开发的。 目前芯片制造商普遍使用深紫外线光刻技术,而且已有很多芯片制造商转向0.131xm的芯片制造工艺,但这种深度紫外线蚀刻工艺在理论上仅能使印刷电路的最小尺寸为0.11xm,当印刷电路的最小线宽达到0.1 1xm时,摩尔定律就会遭遇瓶颈,估计INTEL和AMD等芯片制造商到2004年或2005年就会碰到