元器件应用中的集成齐纳二极管和次表面齐纳管

肖特基势垒 Schottky—barrier 金属和半导体接触,也和PN结一样在接触处的半导体表面层内,自然地形成了由半导体中的杂质离子组成的空间电荷层或耗尽层。其中存在的电子或空穴的势垒,叫做肖特基势垒。 以金属与N型硅接触为例。N型硅的功函数一般比金属的功函数小。金属与N型硅接触时,电子由硅流入金属,在硅表面层内出现由带正电的杂质离子组成的空间电荷层。其中存在由硅指向金属的电场及电子势垒。在平衡时,势垒高度大到足以阻止电子进一步流向金属,也就是说,越过势垒流入金属的电子流与由金属流入半导体的电子流相等。这个势垒就是肖特基势垒。