Si Ge共熔键合

河北工业大学的刘玉岭教授借鉴了金-硅键合技术的特点对硅-硅直接键合技术进行了扩展,形成了一种新的硅-硅直接键合技术—Si-Ge共熔键合[1],工艺流程如图1.9所示,主要的工艺为:在两个硅片表面淀积一层Ge,面对面重合,然后退火再结晶,键合完成,最后减薄和抛光。实质上是单晶Ge升温熔化后与Si共熔,在温度降低时共熔体重新结晶形成了一种新的硅锗半导体层而成为一体。Ge-Si 之间形成连续固熔体体系,相图如图1.10所示。 图1.9 Si-Ge共熔键合键合工艺过程 图1.10 Ge-Si 相图 1 —液相线,是组成不同的熔体开始析出晶体时的温度连线; 2 —固相线,是从组成不同的熔体中结晶