模拟技术中的iCMOS新工艺为精密模拟部件增加可靠性

美国模拟器件公司(ADI)最近发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS,它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和BiCMOS工艺相结合,使客户可以在采用亚微米尺寸工艺的器件上施加高达30V电压,可选的漏极扩展允许工作电压高达50V。作为一种亚微米工艺,iCMOS工艺允许现代数字逻辑电路与高电压模拟电路集成在一起,因此与以前的高压器件相比,iCMOS器件提高了性能,增多了集成功能,降低了功耗并且显著减小了封装尺寸。 据了解, iCMOS制造工艺的关键是增加栅极氧化层厚度的制造工艺的开发,从而能够与传统的5V电路混合一起制造具有处理高电压开关的能力。iCMOS工艺使用电容性阵列来实现片内电压的衰减