新工艺减少栅泄漏

新工艺减少栅泄漏 作者:Peter Singer, Semiconductor International 肯塔基大学(University of Kentucky)的研究人员展示了一种比较简单的快速热处理(RTP)和退火措施,可以延长常规栅介质的寿命,缓和对高k栅介质的需求。当栅介质变得越来越薄时,栅泄漏成为主要问题,以致于某些晶体管处于关态时的能耗几乎与处于开态时相当。可靠性的退化也是一个问题。 高k材料提供较大的电容和高有效氧化物厚度,使电荷更容易地从栅迁移到源/漏区。遗憾的是,虽然一些高k材料尤其是铬基硅酸盐已显露出希望,但是一些严重的整合问题仍然存在。这些造成了高阈值和平