NTP90N02的技术参数

产品型号:NTP90N02源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):7.5@4.5V最大漏极电流Id(on)(A):90通道极性:N沟道封装/温度(°C):TO-220AB/-55~150描述:3.1A/-2.1A,20V N沟道和P沟道功率MOSFET价格/1片(套):¥8.00