IC制造工艺与光刻对准特性关系的研究

(电子科技大学 微电子与固体电子学院, 成都 610054)摘 要:主要针对光刻对准特性,从单项工艺和工艺集成的角度,分析了影响光刻对准的各个主要因素,主要包括对准标记、工艺层、隔离技术等,提出了一些改善光刻对准效果的方法。 关键词:光刻对准;工艺层;集成电路;光刻工艺;隔离技术 中图分类号:305.7 文献标识码:A 文章编号:1003-353X(2005)06-0014-041 引言随着IC制造业的迅猛发展,光刻成像技术不断提高,芯片的特征尺寸也不断缩小,而关键尺寸的缩小则产生了更为精确的套刻精度要求。这些套刻精度已随着光刻设备的改进而得到了部分的满足,但光刻设备技术的发展还不能与不断提高