PECVD法低温形成纳米级薄介质膜击穿特性的实验研究

陈蒲生1,刘剑2,张昊3,冯文修1(1.华南大学应用物理系,广东 广州 510640;2.广东省邮电科学研究院,广东 广州 510665;3.中国电子科技集团公司第五研究所,广东 广州 510610)摘要:对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy,薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性。分析了薄膜I/V特性、击穿机理与各项电学性能:探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室气压、混合气体比例、衬底温度的变化关系;给出了击穿等电性优良的PECVD形成SiOxNy薄介质膜的优化工艺条件。关键词:等离子体增强化学汽相淀积;薄