ARM新近发布支持TSMC的90纳米通用工艺的存储器

ARM公司新近发布了其Artisan物理IP系列中的ARMVelocity DDR1和DDR2(1/2)存储器接口,支持TSMC的90纳米通用工艺。ARM Velocity DDR1/2存储器接口是第一个通过TSMC IP质量安全测试的90纳米、可即量产的IP。 TSMC设计服务市场代理总监Kuo Wu表示:“在我们对IP认证的严格要求下,ARM Velocity DDR1/2存储器接口在我们的90纳米工艺取得了首次投片成功。” ARM 90纳米Velocity DDR1/2存储器接口解决方案包括多组可编程ODT(on-die termination)和输出驱动阻抗控制(output