90nm存储器展现海量存储能力

由于具有密集而又可重复的阵列结构,半导体存储器或许是摩尔定律预测的最重要例证。Renesas公司的4Gb AG(辅助门)-AND闪速存储器(闪存)是该公司的首款基于90-nm工艺的器件,尽管仍然是一项具有重要意义的成就,但是在这方面给人的印象不如其名称的含义来得深刻 。该 芯片采用MLC(多层单元)技术,每个单元可以存储2位信息;然而,这一事实仍然意味着该器件单单在存储器阵列中就包含2万亿个晶体管,另外还有其它外围电路。当Renesas公司在从180nm到130nm的工艺转换中,把常规的AND体系结构改为AG体系结构,从而生产出单芯片1Gb存储器和双芯片2Gb存储器,单元尺寸缩小了三分