ST 90nm小页面NAND闪存提供较低成本存储方案

意法半导体(ST)宣布,该公司采用90nm制造工艺的小页面NAND闪存系列产品全线上市。ST的128、256和512兆位闪存产品已向90nm先进制造工艺的成功转型,同时还为数码相机、PDA、GPS导航系统、低密度闪存卡、U盘、打印机、机顶盒、数字电视、汽车多媒体系统和多媒体手机等产品提供了节省成本的存储解决方案。 NAND闪存产品的数据传输速度极快,并具有数据可擦除功能。该系列产品的寻址线路和数据输入/输出是通过一条8位总线传输信号,这种多路复用技术不仅可以减少封装引脚的数量,还允许系统使用一个模块化的NAND接口,无需改变芯片的占板面积,即可使系统自动适应高密度或低密度的闪存设备。