元器件应用中的Renesas利用新的低成本45纳米及以上工艺改进晶体管性能

瑞萨科技宣布开发出一种具有45 nm(纳米)及以上工艺的微处理器和SoC(系统级芯片)器件低成本制造能力的超高性能晶体管技术。新技术利用瑞萨开发的专有混合结构——公司在2006年12月以前发布的一种先进技术——改善了CMIS晶体管的性能。瑞萨科技在2007年6月12日于日本京都举行的2007年超大规模集成电路技术专题研讨会(2007 Symposium on VLSI Technology)上阐述了这一新的、增强的混合结构,并演示了测试数据。 像以前的技术一样,新的半导体制造技术有一个采用氮化钛(TiN)金属栅极的P型晶体管,以及一个采用传统多晶硅栅极的N型晶体管。不过,新的P型晶体管采